Cristallo ZnTe

I cristalli semiconduttori di GaSe e ZnTe terahertz presentano un'elevata soglia di danno laser e generano impulsi THz estremamente brevi e di alta qualità utilizzando laser a femtosecondi ad alta potenza.


  • Prezzo FOB:US $ 0,5 - 9.999 / pezzo
  • Quantità ordine minimo:100 pezzi/pezzi
  • Capacità di fornitura:10000 pezzo/pezzi al mese
  • Formula di struttura:ZnTe
  • Densità:5,633 g/cm³
  • Asse del cristallo:110
  • Dettagli del prodotto

    Parametro Tecnico

    Cristalli THz semiconduttori: i cristalli di ZnTe (tellururo di zinco) con orientamento <110> vengono utilizzati per la generazione di THz mediante processo di rettifica ottica.Il raddrizzamento ottico è una generazione di frequenze differenti nei mezzi con un'ampia suscettibilità del secondo ordine.Per gli impulsi laser a femtosecondi che hanno una larghezza di banda ampia, i componenti di frequenza interagiscono tra loro e la loro differenza produce una larghezza di banda da 0 a diversi THz.Il rilevamento dell'impulso THz avviene tramite rilevamento elettroottico dello spazio libero in un altro cristallo ZnTe orientato <110>.L'impulso THz e l'impulso visibile si propagano collinearmente attraverso il cristallo ZnTe.L'impulso THz induce una birifrangenza nel cristallo ZnTe che viene letta da un impulso visibile polarizzato linearmente.Quando sia l'impulso visibile che l'impulso THz sono contemporaneamente nel cristallo, la polarizzazione visibile verrà ruotata dall'impulso THz.Utilizzando una piastra d'onda λ/4 e un polarizzatore a divisione di fascio insieme a una serie di fotodiodi bilanciati, è possibile mappare l'ampiezza dell'impulso THz monitorando la rotazione della polarizzazione dell'impulso visibile dopo il cristallo ZnTe con una varietà di tempi di ritardo rispetto all'impulso THz.La capacità di leggere l’intero campo elettrico, sia in ampiezza che in ritardo, è una delle caratteristiche interessanti della spettroscopia THz nel dominio del tempo.ZnTe viene utilizzato anche per substrati di componenti ottici IR e deposizione sotto vuoto.

    Proprietà di base
    Formula di struttura ZnTe
    Parametri del reticolo a=6.1034
    Densità 110